半導體板塊分化或將到來，神工半導體成長難度不小

原創

神工半導體是國内半導體級别單晶矽材料供應商，核心產品為大尺寸高純度半導體單晶矽材料，目前主要應用於加工製成半導體單晶矽部件，是晶圓製造刻蝕環節所必須的核心耗材。

2018年神工半導體的營收為2.82億元，但是其市場佔有率已經達到13%-15%，即全球單晶矽材料市場總額在18.8億元-21.7億元之間，這意味著神工半導體的天花板就在眼前，所以這一次的ipo神工預計募資8.69億元用於投入8英寸半導體級單晶抛光片的生產建設項目。

半導體單晶矽材料按照應用劃分可以分為芯片用單晶矽材料和刻蝕用單晶矽材料，目前神工的產品在刻蝕用單晶矽材料。

工藝上，刻蝕用單晶矽材料微缺陷率參數對後續工藝重要性相對較低，相關指標達到一定標準後即可滿足後續先進工藝要求，而芯片用單晶矽材料對微缺陷率參數要求非常嚴格，需控制材料内部微缺陷率保持低水平甚至接近零方能滿足後續工藝要求。

因此對於神工半導體而言，要想從刻蝕用單晶矽材料發展到芯片用單晶矽材料領域，這並不容易。

除了技術層面的原因，半導體矽片市場發展也構成了較大的挑戰。這是半導體矽片的價格走勢圖，受摩爾定律驅動，半導體矽片的尺寸越做越大，其單位價格也越來越低，那麽投資者需要考慮神工半導體未來研發出芯片用的單晶矽材料時，半導體矽片的價格處於什麽階段，如果處於階段高點，意味著這募投的8.69億元要面臨持續幾年半導體矽片價格走低以至於虧損的風險。

以上是對於神工半導體面臨的長期挑戰與風險的概述，以下仍有必要對其生產流程與產業鏈進行一個粗略的梳理：

神工半導體的半導體級單晶矽材料製造工業主要為直拉法，特點是在一個封閉熱場内，通過石墨加熱器加熱，在濕度高達1420℃時將高純度石英坩埚中的多晶矽熔化，隨後，用原子均勻排列的單晶體（籽晶）接觸溶液表面，使溶液中的矽原子按照籽晶的原子排列規則進行有序排列，同時轉動籽晶，再反轉坩埚，將籽晶緩慢向上提升，經過引晶、放大、轉肩、等徑生長、收尾等過程，得到單晶矽棒。

緊接著進入刻蝕階段。刻蝕設備的工作原理是將矽片置入單晶矽環，合體作為正極置入刻蝕設備腔體下方，然後把處於刻蝕設備腔體上方帶有密集微小孔的單晶矽盤作為負極，附加合適的電壓，加上酸性等離子刻蝕氣體，在高溫腔體内按前序工藝光刻機刻出電路結構在矽片上進行微觀雕刻，使得矽片表面按設計線寬和深度進行腐蝕，形成微小集成電路。

刻蝕過程中矽電極會被逐漸腐蝕並變薄，當矽電極厚度縮減到一定程度後，需用新電極替以保證刻蝕均勻性，因此矽電極是晶圓製造刻蝕工藝的核心耗材。

目前全球範圍内刻蝕設備市場集中度較高，泛林集團、東京電子、應用材料這三家公司市場份額合計超過90%，儘管如此，不妨礙中微公司（688012-CN）近期漲了3倍有餘，其原因還是國產替代，中微公司也確實進入了台積電的供應體系中。

這些刻蝕設備供應商並不直接生產刻蝕設備矽電極，通常通過其認證的矽電極製造商生產與其刻蝕設備相配套且滿足其特定工藝要求的矽電極。

這些矽電極廠商中，部分企業同時具備單晶矽材料製造和單晶矽材料加工成矽電極的能力，而其他矽電極製造企業則不具備單晶矽材料製造能力或者單晶矽材料製造能力較弱，需要從神工半導體這類專業單晶矽材料製造企業採購單晶矽材料來進行後續加工。

而這實際上揭開了神工半導體另一處風險，由於部分企業是具備單晶矽材料製造能力的，所以即便是較小的單晶矽材料製造市場，其對於神工半導體而言的真實市場規模還要再進一步壓縮。

同時目前神工半導體的客戶主要來自於海外，尤其是日本，而，日本作為全球最大的半導體材料單晶矽材料生產國這個局面一時半會兒也打破不了，那麽即便未來中微公司為代表的國内刻蝕設備廠商開始崛起，這也無法改變神工半導體的發展受制於日本矽電極廠商的局面。

所以神工半導體要成長是真不容易，但是從神工單晶矽材料上下遊的關係能夠發現一些機會，譬如刻蝕領域的中微公司，當然目前隨著半導體板塊情緒熱度觸及可能的階段高潮中期風險會越來越大。

除了刻蝕領域之外，高純度多晶矽和高純度石英坩埚市場或許也有投資機會。神工半導體的高純度多晶矽和高純度石英坩埚主要向國外廠商採購。高純度多晶矽的主要供應商為德國瓦克化學、日本三菱材料、日本tokuyama corporation、美國hemlock semiconductor operation，高純度石英坩埚主要供應商為日本sumco jsq、coorstek、信越石英株式會社。

總體而言，神工半導體現有業務和未來將發展的業務都面臨不小的挑戰，尤其是在半導體板塊熱火朝天的當下，渾水摸魚且缺乏真實成長性的公司未來將面臨漫長價值回歸的風險。