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三星電子HBM5細節曝光,預計2028年實現量産;科創半導體ETF華夏(588170)上漲1.28%,半導體設備ETF華夏(562590)上漲1.10%

日期: 2026年6月3日 上午9:46

截至2026年6月3日9:34,科創半導體ETF華夏(588170)上漲1.28%,半導體設備ETF華夏(562590)上漲1.10%。熱門個股方面,晶升股份上漲4.46%,天嶽先進上漲4.44%,中船特氣上漲3.98%,和林微納,滬矽産業等個股跟漲。

消息面上,在6月2日Computex 2026電腦展上,三星電子首次展示了第八代高帶寬存儲芯片HBM5,並首次公開推出了HPB(Heat Pass Block,導熱塊)散熱方案。三星電子計劃使用其自主研發的2nm工藝制造的芯片生産HBM5,預計將在2028年左右實現量産。而HPB將是大規模應用於其中的核心熱管理技術。此前三星電子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技術,可使該處理器的散熱性能相比上代提升30%。

相關ETF:科創半導體ETF華夏(588170)及其聯接基金(A類:024417;C類:024418):跟蹤指數是科創板唯一的半導體設備主題指數,其中存儲芯片含量近80%,先進封裝含量在全市場中最高(約59%),聚焦於科技創新前沿的硬核設備公司。

半導體設備ETF華夏(562590)及其聯接基金(A類:020356;C類:020357):跟蹤中證半導體材料設備主題指數,其中半導體設備的含量在全市場指數中最高(約63%),直接受益於全球芯片漲價潮對「賣鏟人」(設備商)的確定性需求。

内容來源:有連雲

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