存儲芯片板塊強勢回歸，相關概念股集體拉升

原創

12月24日，A股的存儲芯片板塊卷土重來，華海誠科（688535.SH）漲12.88%，德明利（001309.SZ）漲超9%，中芯國際（688981.SH）、香農芯創（300475.SZ）、北京君正（300223.SZ）、江波龍（301308.SZ）、佰維存儲（688525.SH）、普冉股份（688766.SH）、恒爍股份（688416.SH）均錄得上漲。港股方面，中芯國際(00981.HK)、華虹半導體(01347.HK)亦表現不俗。

消息面，據韓國《朝鮮日報》消息，三星電子、SK海力士等存儲供應商已上調明年HBM3E價格，漲幅接近20%。

供應方面，存儲廠商預計明年第六代HBM（即HBM4）需求將增加，加大對其產能投入，導致HBM3E產能遭到積壓。需求方面，除了英偉達之外，來自谷歌、亞馬遜等公司的訂單量也大幅增加。

在供需兩端的驅動下，存儲芯片領域的漲價潮持續蔓延。據悉，目前三星與SK海力士正加快內存生產，以應對來自AI的需求。

存儲芯片在AI時代的重要性不容忽視。隨著大模型參數規模指數級增長，對高性能存儲的需求持續提升。特別是HBM（高帶寬存儲器）作為AI服務器的關鍵組件，正迎來爆發式增長。

業內人士指出，本輪存儲產品的漲價潮或超出市場預期。相關存儲芯片產商的未來業績有望大幅擡升，股價表現有望再超預期。

摩根士丹利預測，鑒於明年存儲領域可能出現供需失衡，內存芯片行業將迎來 「超級週期」。市場需求高企的背景下，存儲芯片行業也開始出現供不應求、漲價、轉變訂貨模式等一系列連鎖反應。

值得一提的是，美光科技在此前的業績會上提供了更具體的佐證。公司高管透露，公司2026年（日歷年）全年HBM的供應量已就價格和數量與客戶達成協議，全部售罄；預計HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達到1000億美元（2025年為350億美元），美光預計2026年資本支出將達200億元，用於支持HBM和1-gamma DRAM供應。

結語——

在全球存儲市場高景氣度的背景下，國內存儲芯片產業鏈公司正迎來「價格回升」與「國產替代」的雙重歷史性機遇。隨著產品價格進入上升通道，相關公司盈利能力有望顯著改善。這或許也是近期國內存儲芯片概念股反復活躍的重要原因。