三星電子推進HBM研發，芯片設計轉向AI導向，科創芯片ETF國泰(589100)沖擊3連漲

截至2026年4月20日早盤收盤，上證科創板芯片指數(000685)強勢上漲1.24%，成分股翺捷科技上漲11.04%，樂鑫科技上漲9.19%，滬矽産業上漲7.78%，華潤微，華虹公司等個股跟漲。科創芯片ETF國泰(589100)上漲1.21%，沖擊3連漲。最新價報1.75元。

流動性方面，科創芯片ETF國泰盤中換手3.16%，成交1772.51萬元。拉長時間看，截至4月17日，科創芯片ETF國泰近1周日均成交2594.24萬元。

消息面上，三星電子正全力推進其下一代高帶寬内存（HBM）産品的研發進程，力求在高端人工智能内存市場進一步鞏固自身的優勢。三星電子計劃最早於2026年5月生産出首批符合英偉達標準的HBM4E樣品。業内人士透露，三星有著明確且緊湊的時間規劃。其目標是在下月中旬之前，讓代工部門成功生産出HBM4E核心邏輯芯片的樣品。

招商證券認為，芯片設計産業正從「通用性能導向」轉向「AI場景定義」，AI算力需求是核心增長引擎。具備全棧算法優化能力、垂直應用理解力及快速量産交付力的設計企業將率先兌現成長紅利。

截至4月17日，科創芯片ETF國泰近6月淨值上漲17.64%，居可比基金前3。從收益能力看，截至2026年4月17日，科創芯片ETF國泰自成立以來，最高單月回報為34.67%，最長連漲月數為4個月，最長連漲漲幅為72.96%，漲跌月數比為7/5，上漲月份平均收益率為12.17%，歷史持有1年盈利概率為100.00%。

數據顯示，截至2026年3月31日，上證科創板芯片指數(000685)前十大權重股分別為中芯國際、海光信息、寒武紀、瀾起科技、中微公司、芯原股份、佰維存儲、拓荊科技、源傑科技、華虹公司，前十大權重股合計佔比60.99%。

科創芯片ETF國泰(589100)，場外聯接(國泰上證科創板芯片ETF發起聯接A：024853；國泰上證科創板芯片ETF發起聯接C：024854)。

内容來源：有連雲