三星电子推进HBM研发，芯片设计转向AI导向，科创芯片ETF国泰(589100)冲击3连涨

截至2026年4月20日早盘收盘，上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.24%，成分股翱捷科技上涨11.04%，乐鑫科技上涨9.19%，沪硅产业上涨7.78%，华润微，华虹公司等个股跟涨。科创芯片ETF国泰(589100)上涨1.21%，冲击3连涨。最新价报1.75元。

流动性方面，科创芯片ETF国泰盘中换手3.16%，成交1772.51万元。拉长时间看，截至4月17日，科创芯片ETF国泰近1周日均成交2594.24万元。

消息面上，三星电子正全力推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。业内人士透露，三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前，让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。

招商证券认为，芯片设计产业正从“通用性能导向”转向“AI场景定义”，AI算力需求是核心增长引擎。具备全栈算法优化能力、垂直应用理解力及快速量产交付力的设计企业将率先兑现成长红利。

截至4月17日，科创芯片ETF国泰近6月净值上涨17.64%，居可比基金前3。从收益能力看，截至2026年4月17日，科创芯片ETF国泰自成立以来，最高单月回报为34.67%，最长连涨月数为4个月，最长连涨涨幅为72.96%，涨跌月数比为7/5，上涨月份平均收益率为12.17%，历史持有1年盈利概率为100.00%。

数据显示，截至2026年3月31日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中芯国际、海光信息、寒武纪、澜起科技、中微公司、芯原股份、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹公司，前十大权重股合计占比60.99%。

科创芯片ETF国泰(589100)，场外联接(国泰上证科创板芯片ETF发起联接A：024853；国泰上证科创板芯片ETF发起联接C：024854)。

内容来源：有连云