科創芯片設計ETF(588780)勁升漲超2%，存儲芯片價格暴漲超300%，産業鏈景氣度持續擡升

截至2026年2月3日 09:57，科創芯片設計ETF(588780)上漲2.04%，盤中換手3.64%，成交3269.48萬元。成分股中微半導上漲10.15%，國芯科技上漲4.53%，聯芸科技上漲4.39%，普冉股份，芯原股份等個股跟漲。

科創芯片設計ETF(588780)是跟蹤科創芯片指數的同類産品中，成立時間最早、規模最大的産品，持續關注上漲勢頭。

消息面上，北京經濟技術開發區管理委員會印發《關於進一步加快建設全域人工智能之城的實施方案（2026—2027年）》。其中提到，推進數模混合、存算一體等芯片架構研發創新，延伸場景定義芯片、行業專用芯片、使能軟件等産業鏈條。

市場方面，存儲芯片領域兩大主要産品類別DRAM與NAND閃存現貨價格累計上漲超過300%。相關機構預測，2026年第一季度NAND閃存産品價格將上漲33%-38%，一般型DRAM價格將上漲55%-60%。

Wind數據顯示，截至2月2日，41家存儲概念公司中，25家披露業績預告，其中16家預喜，多家公司在2025年第四季度業績提升明顯。存儲芯片公司普遍表示，業績預喜的主要原因是，受AI及算力産業發展拉動，産業進入高景氣周期、産品持續漲價，並持續看好未來的景氣周期。

中國銀河證券認為，在外部環境背景下，供應鏈安全與自主可控依舊是長期趨勢。AI算力需求不減、存儲芯片周期上行以及先進封裝技術滲透，共同推動半導體設備需求提振，2026年半導體設備市場規模持續增長預期強烈。

全球AI芯片産業加速擴容，雲端AI加速器市場焦點正轉向效能成本比與供應鏈穩定性，國元證券預計2026年高階雲端ASIC加速器出貨量有望提升至723.4萬顆；與此同時，台積電未來兩年將全面拉升CoWoS先進封裝産能，以匹配英偉達等大廠倍數級增長的産能需求。

科創芯片設計ETF(588780)緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，上證科創板芯片設計主題指數選取科創板内業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作為指數樣本，以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。

科創芯片設計ETF(588780)具備20%漲跌幅的彈性收益，跟蹤指數成分股囊括50家科創板芯片龍頭企業，芯片設計行業佔比高達96.1%，「含芯量」滿滿，瞄準半導體高景氣度細分賽道，成長空間可期。

風險提示：以上所有信息僅作為參考，不構成投資建議，一切投資操作信息不能作為投資依據。投資有風險，入市需謹慎。

注：「成立最早、規模最大」指截至2026.2.2，科創芯片設計ETF為全市場跟蹤上證科創板芯片設計主題指數的ETF中，成立時間最早、規模最大的産品。

内容來源：有連雲