近日，廈門大學寬禁帶半導體研究團隊取得重要科研突破，尹君副教授、康聞宇副研究員在高光效 AlGaN 基短波深紫外 LED 器件制備領域實現技術進展。相關成果發表於《Photonics Research》。團隊創新研發全新器件架構與光子管理方案，為破解高 Al 組分 AlGaN 基短波深紫外 LED 效率瓶頸、提升器件牆插轉化效率（WPE）提供全新技術路徑。AlGaN 基深紫外 LED 屬於寬禁帶半導體重點發展方向，在環境消殺、醫療健康、紫外通信、工業檢測等場景具備廣闊應用前景。當前深紫外光源持續推進無汞化替代，而光電轉換效率偏低是制約産業化提速的核心痛點。國内高校持續攻關底層器件技術，不斷夯實寬禁帶半導體自主創新根基。隨著産學研轉化持續推進，第三代半導體上下遊材料、設備、芯片産業鏈成長空間或將持續拓寬。
南方基金鄭曉曦關注半導體産業鏈投資機遇。她管理的南方信息創新混合持倉聚焦科技自立自強，其2026年度一季報顯示，其前十大重倉股中包括拓荊科技、北方華創、中微公司等擁有領先技術的國産半導體産業鏈龍頭企業。另一只産品南方半導體産業股票則深耕半導體芯片産業，尤其是光刻機模塊，其2026年度一季報顯示，其前十大重倉股中包括奧普光電、茂萊光學等國産核心企業。
南方信息創新混合（A 類：007490/C 類：007491）
南方半導體産業股票發起（A 類：020553/C 類：020554）
内容來源：有連雲
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