東芝記憶體株式會社推出XL-FLASH™儲存級記憶體解決方案

提供高性能NAND；以具有成本效益的方式降低延遲

東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案全球領導者東芝記憶體株式會社(Toshiba Memory Corporation)今日宣布推出一種新的儲存級記憶體(SCM)解決方案：XL-FLASH^TM。XL-FLASH^TM採用公司創新性BiCS FLASH™ 3D 1bit-per-cell SLC快閃記憶體技術，可幫助資料中心和企業儲存裝置實現低延遲與高性能。樣品出貨將於9月啟動，量產計畫預計從2020年開始。

XL-FLASH^TM被歸類為SCM（或稱持續性記憶體），能夠像NAND快閃記憶體一樣保存其內容，彌補DRAM與NAND之間存在的性能差距。雖然DRAM等揮發性記憶體解決方案可提供各類嚴苛應用所需的存取速度，但實現該性能會產生高昂的成本。隨著DRAM的每位元儲存價格和延展性趨於穩定，記憶體結構中的這一新型SCM（或稱持續性記憶體）層採用一種高密度、高性價比、非揮發性NAND快閃記憶體解決方案，進而解決了這一問題。

XL-FLASH^TM位於DRAM與NAND快閃記憶體之間，速度更高、延遲更低、儲存容量更高——與傳統DRAM相比，成本更低。雖然XL-FLASH^TM最初以SSD格式部署，但其可擴展至位於DRAM匯流排上的安裝有儲存通道的設備，例如未來產業標準的非揮發性雙列直插式記憶體模組(NVDIMM)。

主要特點

• 128 gigabit (Gb)裸片（支援2顆粒、4顆粒、8顆粒封裝）
• 4KB分頁大小，作業系統讀寫效率更高
• 16層架構可實現效率更高的並行性
• 快速的分面讀取和程式時間。XL-FLASH^TM可提供低於5微秒的低讀取延遲，比現有的TLC快大約10倍

作為NAND快閃記憶體的發明者、率先推出3D快閃記憶體技術的公司和製程移轉領域的領導者，東芝記憶體株式會社具備雄厚的實力，能夠提供具備成熟製程、可靠延展性和久經考驗的SLC可靠性的SLC型SCM。 

註：

所有公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

所提及的每一款東芝記憶體株式會社產品：產品儲存密度根據產品內建的記憶體晶片密度來確定，而非最終使用者資料儲存的可用記憶體容量。由於額外負荷資料區域、格式設定、瑕疵區塊及其他制約因素，使用者可用容量會減少，根據不同的主機設備和應用，使用者可用容量可能也會有所差異。請參考適用的產品規格瞭解詳情。定義1Gb = 2^30位元組= 1,073,741,824位元組。定義1GB = 2^30位元組= 1,073,741,824位元組。定義1KB = 2^10位元組= 1,024位元組。

關於東芝記憶體集團

東芝記憶體集團是全球記憶體解決方案領導者，致力於開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬碟（SSD）。東芝公司於1987年發明了NAND快閃記憶體，2017年4月，東芝記憶體集團由東芝公司分離出來。東芝記憶體集團開創了最先進的記憶體解決方案和服務、豐富了人們的生活、拓展了社會的空間。創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™打造適於諸多高密度應用的未來記憶體，其中包括了先進智慧手機、PC、SSD、汽車和資料中心等。東芝記憶體集團將於2019年10月1日正式更名為鎧俠(Kioxia)。如需瞭解關於東芝記憶體集團的更多資訊，敬請造訪：https://business.toshiba-memory.com/en-jp/。

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