近日，韓國某存儲芯片巨頭公佈下一代存儲技術路綫圖：新一代高帶寬内存（HBM5）計劃採用2納米制程基礎芯片，提供12層、16層和20層DRAM堆疊方案，目標性能達到上一代産品的2倍，單瓦性能提升20%、熱阻降低20%，預計2028年前後量産；同時，採用存儲芯片直接堆疊於處理器上方新架構的zHBM，目標性能達到上一代的8倍，預計2029年後推出。
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内容來源：有連雲
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