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科創芯片設計ETF鵬華(589170)漲超2.4%,科創芯片ETF鵬華(588920)漲超1.5%,國產GPU放量帶動Drmos需求高速增長

日期: 2026年6月18日 上午10:19

消息面上,國產GPU放量帶動Drmos需求高速增長,下游各客戶均加速國產替代導入,26-27年Drmos國產化正式開啟。

華福證券指出,DrMOS作為高端AI電源核心配置已成為全行業共識。憑藉自身無可替代的性能優勢,DrMOS產品正快速完成場景滲透,從高端服務器逐步拓展至通用AI服務器、邊緣算力、智算中心等多個核心場景。

截至2026年6月18日 10:11,上證科創板芯片設計主題指數(950162)強勢上漲2.13%,成分股裕太微上漲14.06%,盛科通信上漲6.38%,寒武紀上漲5.91%,新相微,慧智微等個股跟漲。科創芯片設計ETF鵬華(589170)上漲2.43%,衝擊4連漲。最新價報1.31元。科創芯片ETF鵬華(588920)上漲1.55%,衝擊4連漲。最新價報2.56元。

科創芯片設計ETF鵬華緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數,上證科創板芯片設計主題指數選取科創板內業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作為指數樣本,以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。

數據顯示,截至2026年5月29日,上證科創板芯片設計主題指數(950162)前十大權重股分別為瀾起科技、寒武紀、海光信息、佰維存儲、芯原股份、睿創微納、東芯股份、晶晨股份、盛科通信、普冉股份,前十大權重股合計占比64.59%。

科創芯片設計ETF鵬華(589170),場外聯接(A:027608;C:027609)。

內容來源:有連雲

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