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化合物半導體再迎關鍵工藝突破,南方基金鄭曉曦挖掘產業成長紅利

日期: 2026年6月8日 上午9:29

近日,九峰山實驗室化合物半導體中試平台-工藝平台深度聯動國產原子層沉積(ALD)設備廠商,實現了ALD Mo工藝新突破——以穩定、高效的MoCl₂O₂原料為前驅體,在400℃下製備出高性能金屬鉬薄膜,這是國內首次基於8英寸平台實現該工藝的開發。作為實驗室在化合物半導體根技術領域的重要突破,該工藝在電阻率、均勻性、台階覆蓋率等關鍵指標上達到量產要求,對化合物半導體器件性能提升具有底層支撐作用,為國產設備與自主工藝的協同創新提供了可行樣本。

南方基金鄭曉曦關注半導體產業鏈投資機遇。她管理的南方信息創新混合持倉聚焦科技自立自強,其2026年度一季報顯示,其前十大重倉股中包括拓荊科技、北方華創、中微公司等擁有領先技術的國產半導體產業鏈龍頭企業。另一隻產品南方半導體產業股票則深耕半導體芯片產業,尤其是光刻機模塊,其2026年度一季報顯示,其前十大重倉股中包括奧普光電、茂萊光學等國產核心企業。

南方信息創新混合(A 類:007490/C 類:007491)

南方半導體產業股票發起(A 類:020553/C 類:020554)

內容來源:有連雲

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