三星計劃在越南投資15億美元建設芯片測試廠，科創芯片ETF博時(588990)盤中最高漲超2%

截至2026年5月27日 10:42，上證科創板芯片指數(000685)強勢上漲1.34%，成分股天嶽先進上漲13.80%，思瑞浦上漲10.63%，中船特氣上漲9.16%，中科藍訊，佰維存儲等個股跟漲。科創芯片ETF博時(588990)盤中最高漲超2%，現漲1.36%。拉長時間看，截至2026年5月26日，科創芯片ETF博時近1周累計上漲6.23%。

流動性方面，科創芯片ETF博時盤中換手7.84%，成交5475.35萬元。拉長時間看，截至5月26日，科創芯片ETF博時近1年日均成交6634.06萬元。

消息面上，三星電子計劃在越南投資39萬億越南盾（約合15億美元）建設一家半導體測試工廠，其提案文件顯示，此項擴建將有助於緩解因人工智能需求激增而導致的全球内存芯片短缺。根據4月提交給當地政府文件顯示，該新工廠已於河内以北60公裡（37英裡）的一處工業園區動工，預計將於2027年11月投産。這將是三星在越南的首家芯片測試工廠。

此外，三星電子近期利用單元多層鍵合 (CMB) 技術連接兩片450層3D NAND，構建了全球首個900層超高堆疊3D NAND閃存原型，這一樣品的存儲單元工作特性已得到驗證。

中信證券指出，當前存儲原廠擴産面臨主客觀雙重約束，2026年有效産能釋放受限，預計新産能實質釋放需待2027年底至2028年，且過程中供給增速上修空間有限。堅定看好存儲産業趨勢，行業有望維持高景氣，原廠及相關存儲設計公司有望更長時間維持高盈利。

規模方面，科創芯片ETF博時最新規模達6.89億元，創近半年新高。

資金流入方面，科創芯片ETF博時最新資金淨流入5516.56萬元。拉長時間看，近5個交易日内，合計「吸金」4759.01萬元。

科創芯片ETF博時緊密跟蹤上證科創板芯片指數，上證科創板芯片指數從科創板上市公司中選取業務涉及半導體材料和設備、芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試相關的證券作為指數樣本，以反映科創板代表性芯片産業上市公司證券的整體表現。

數據顯示，截至2026年4月30日，上證科創板芯片指數(000685)前十大權重股分別為寒武紀、海光信息、中芯國際、瀾起科技、中微公司、芯原股份、源傑科技、佰維存儲、拓荊科技、華虹公司，前十大權重股合計佔比63.08%。

科創芯片ETF博時(588990)，場外聯接(博時上證科創板芯片ETF發起式聯接A：022725；博時上證科創板芯片ETF發起式聯接C：022726)。

（文中個股僅作示例，不構成實際投資建議。基金有風險，投資需謹慎。）

以上産品風險等級為：中高（此為管理人評級，具體銷售以各代銷機構評級為準）

風險提示：基金不同於銀行儲蓄和債券等固定收益預期的金融工具，不同類型的基金風險收益情況不同，投資人既可能分享基金投資所産生的收益，也可能承擔基金投資所帶來的損失。基金的過往業績並不預示其未來表現。投資者應了解基金的風險收益情況，結合自身投資目的、期限、投資經驗及風險承受能力謹慎決策並自行承擔風險，不應採信不符合法律法規要求的銷售行為及違規宣傳推介材料。

内容來源：有連雲