Transphorm和微芯科技將高可靠性GaN和數位訊號處理技術相結合以推動GaN普及

採用dsPIC® DSC快速追蹤電源系統開發的4 kW PFC GaN評估板，並提供全球技術支援

加州戈勒塔--(美國商業資訊)--首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體的設計和製造領導者Transphorm Inc.今日宣布，該公司已與領先的微控制器供應商微芯科技公司(Microchip Technology Inc.) (NASDAQ: MCHP)合作。此次合作將微芯科技dsPIC33CK數位訊號控制器板與Transphorm的4 kW交流-直流圖騰柱無橋功率因數(PFC)評估板相整合，後者採用該公司最新的第四代GaN技術。採用Transphorm的應用程式支援功能，微芯科技的全球技術支援團隊還將為使用整合Transphorm解決方案的開發人員提供服務。

因此，客戶將能夠獲得提供超過99%的效率及現成預先程式化韌體的評估板，該評估板現在得到全球支援團隊的支援，可進一步簡化交流-直流電源系統設計。

Transphorm全球技術行銷與北美銷售副總裁Philip Zuk表示：「Transphorm與微芯科技的合作將顛覆格局。使用圖騰柱無橋功率因數校正功能的GaN電源系統的控制要求與用於控制傳統CCM升壓型PFC的控制要求不同，這對某些原始設計製造商(ODM)而言一直是新的挑戰。如今，兩家產業領導者已透過合作彌補這一知識缺口。我們為客戶提供由世界一流的全球支援團隊支援的顛覆性GaN解決方案。」

微芯科技的dsPIC數位訊號控制器(DSC)由一系列嵌入式設計工具支援，這些工具旨在為開發人員，甚至是專業知識有限的開發人員提供支援。這些工具提供直覺的圖形化使用者介面，用於在微芯科技免費的MPLAB® X整合式開發環境中將設備初始化。這些軟體工具透過全套程式設計器、偵錯器和模擬器附件得以完善。

技術規格

整合DSC的解決方案用於Transphorm的TDTTP4000W066C-KIT，特色如下：

• 650 V 35 mΩ第四代GaN FET (TP65H035G4WS)
• 輸入電壓：85 VAC至265 VAC，47Hz至63Hz
• 輸入電流：18 Arms；115VAC時2 kW，230 VAC時4 kW
• 輸出電壓：387 VDC ± 5 VDC（可程式化）
• 延遲時間：可程式化
• 脈衝寬度調變(PWM)頻率：66kHz
• 功率因數：> 0.99

該評估板圍繞微芯科技的dsPIC33CK數位電源插入式模組(PIM)設計，用於控制PFC動力總成。該套件包括一個預先程式化的PIM，特色如下：

• 微芯科技經AEC-Q100認證的dsPIC33CK256MP506數位訊號控制器
• 100 MIPS，在時間關鍵型控制應用中提供更快的固定性能
• 雙閃面板–在接通電源時進行即時程式碼更新
• 高類比整合，可降低物料清單(BOM)成本並將系統尺寸最小化
• 解析度250 ps的PWM

dsPIC33CK PIM韌體升級版可從微芯科技網站下載。

微芯科技MCU16副總裁Joe Thomsen表示：「微芯科技的dsPIC DSC旨在滿足與新型數位電源拓撲相關的嚴苛控制需求。我們很自豪能夠攜手志同道合的產業顛覆者Transphorm為我們的客戶提供此參考設計，包括Transphorm可靠的GaN元件。我們的dsPIC33CK PIM將為工程師提供眾多設計人員設計大功率解決方案所需的靈活性和全球支援。」

供應情況

TDTTP4000W066C-KIT透過Digi-Key和Mouser供應。

當前使用上一代評估板TDTTP4000W066B-KIT的Transphorm客戶仍可利用dsPIC33CK PIM整合，請聯絡Transphorm取得轉換子板。

關於Transphorm, Inc.

GaN革命方面的全球領導者Transphorm, Inc. (www.transphormusa.com)設計和製造用於高壓電源轉換應用的具備最高效能和最高可靠性的高壓氮化鎵(GaN)半導體。Transphorm擁有最大的功率GaN IP組合之一，生產業界唯一獲得JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET。其垂直整合業務模式有助於在每個開發階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Twitter: @transphormusa

所有商標均為其各自所有者的財產。

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