Transphorm和微芯科技将高可靠性GaN和数位讯号处理技术相结合以推动GaN普及

日期：2020年4月7日 下午7:32

采用dsPIC® DSC快速追踪电源系统开发的4 kW PFC GaN评估板，并提供全球技术支援

加州戈勒塔--(美国商业资讯)--首家获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.今日宣布，该公司已与领先的微控制器供应商微芯科技公司(Microchip Technology Inc.) (NASDAQ: MCHP)合作。此次合作将微芯科技dsPIC33CK数位讯号控制器板与Transphorm的4 kW交流-直流图腾柱无桥功率因数(PFC)评估板相整合，后者采用该公司最新的第四代GaN技术。采用Transphorm的应用程式支援功能，微芯科技的全球技术支援团队还将为使用整合Transphorm解决方案的开发人员提供服务。

因此，客户将能够获得提供超过99%的效率及现成预先程式化韧体的评估板，该评估板现在得到全球支援团队的支援，可进一步简化交流-直流电源系统设计。

Transphorm全球技术行销与北美销售副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm与微芯科技的合作将颠覆格局。使用图腾柱无桥功率因数校正功能的GaN电源系统的控制要求与用於控制传统CCM升压型PFC的控制要求不同，这对某些原始设计制造商(ODM)而言一直是新的挑战。如今，两家产业领导者已透过合作弥补这一知识缺口。我们为客户提供由世界一流的全球支援团队支援的颠覆性GaN解决方案。”

微芯科技的dsPIC数位讯号控制器(DSC)由一系列嵌入式设计工具支援，这些工具旨在为开发人员，甚至是专业知识有限的开发人员提供支援。这些工具提供直觉的图形化使用者介面，用於在微芯科技免费的MPLAB® X整合式开发环境中将设备初始化。这些软体工具透过全套程式设计器、侦错器和模拟器附件得以完善。

技术规格

整合DSC的解决方案用於Transphorm的TDTTP4000W066C-KIT，特色如下：

• 650 V 35 mΩ第四代GaN FET (TP65H035G4WS)
• 输入电压：85 VAC至265 VAC，47Hz至63Hz
• 输入电流：18 Arms；115VAC时2 kW，230 VAC时4 kW
• 输出电压：387 VDC ± 5 VDC（可程式化）
• 延迟时间：可程式化
• 脉冲宽度调变(PWM)频率：66kHz
• 功率因数：> 0.99

该评估板围绕微芯科技的dsPIC33CK数位电源插入式模组(PIM)设计，用於控制PFC动力总成。该套件包括一个预先程式化的PIM，特色如下：

• 微芯科技经AEC-Q100认证的dsPIC33CK256MP506数位讯号控制器
• 100 MIPS，在时间关键型控制应用中提供更快的固定性能
• 双闪面板–在接通电源时进行即时程式码更新
• 高类比整合，可降低物料清单(BOM)成本并将系统尺寸最小化
• 解析度250 ps的PWM

dsPIC33CK PIM韧体升级版可从微芯科技网站下载。

微芯科技MCU16副总裁Joe Thomsen表示：“微芯科技的dsPIC DSC旨在满足与新型数位电源拓扑相关的严苛控制需求。我们很自豪能够携手志同道合的产业颠覆者Transphorm为我们的客户提供此参考设计，包括Transphorm可靠的GaN元件。我们的dsPIC33CK PIM将为工程师提供众多设计人员设计大功率解决方案所需的灵活性和全球支援。”

供应情况

TDTTP4000W066C-KIT透过Digi-Key和Mouser供应。

当前使用上一代评估板TDTTP4000W066B-KIT的Transphorm客户仍可利用dsPIC33CK PIM整合，请联络Transphorm取得转换子板。

关於Transphorm, Inc.

GaN革命方面的全球领导者Transphorm, Inc. (www.transphormusa.com)设计和制造用於高压电源转换应用的具备最高效能和最高可靠性的高压氮化镓(GaN)半导体。Transphorm拥有最大的功率GaN IP组合之一，生产业界唯一获得JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。其垂直整合业务模式有助於在每个开发阶段进行创新：设计、制造、元件和应用支援。Twitter: @transphormusa

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