安世半導體宣布推出最低導通阻抗，且最佳化關鍵效能的LFPAK56和LFPAK33封裝MOSFET

同時最佳化了安全工作區、漏極電流和閘極電荷

荷蘭奈梅亨--(美國商業資訊)--Nexperia(安世半導體)始分立元件、邏輯元件和 MOSFET 元件的全球領導者，今日宣布其已採用 Trench 11 技術實現具有史上最低導通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，該項突破並不影響其他重要參數，例如漏極電流 (ID(max))、安全工作區域 (SOA) 或閘極電荷 QG。

很多應用均需要超低導通阻抗，例如 ORing、熱插拔操作、同步整流、馬達控制與蓄電池保護等，以便降低 I²R 損耗並提高效率。然而，具備類似導通阻抗的一些同類元件，由於縮小晶圓單元間隔，其SOA(評估MOSFET耐受性的效能)和最大ID額定電流需要降額。安世半導體的 PSMNR58-30YLH MOSFET 的最大導通阻抗僅 0.67 歐姆，其最大額定漏極電流提升至380A。該參數對馬達控制應用尤為重要，因為馬達堵轉的瞬間會產生超大電湧，MOSFET 必須可以承受這些電湧，才能確保安全可靠作業。一些競爭對手僅提供計算出的最大ID電流，但安世半導體產品實測持續電流能力高達 380 安培，並且 100% 最終生產測試的持續電流值高達 190 安培。

該元件支援 LFPAK56 (Power-SO8) 和 LFPAK33 (Power33)封裝，二者均採用獨特的銅夾(copper-clip)結構，可吸收熱應力，提升品質和可靠性。LFPAK56 封裝的 PSMNR58-30YLH，(安世半導體的 4 引腳 Power-SO8 封裝)其安裝尺寸僅 30 平方毫米，管腳間距 1.27 毫米。

安世半導體 Power MOSFET 產品經理 Steven Waterhouse 先生表示：「安世半導體結合其獨有的 NextPowerS3 超接合面(superjunction)技術與 LFPAK 封裝，提供了具有低導通阻抗、高額定 ID 最大電流的 MOSFET，同時不影響其SOA等級、品質和可靠性。這使新元件充分滿足要求高效能、高可靠性和高容錯性的應用需求。」其中包括無刷直流 (BLDC) 馬達控制（全橋式三相拓撲）；ORing 伺服器電源、熱插拔操作和同步整流；蓄電池保護；手機快速充電和直流負荷開關。

關於新款低導通阻抗 MOSFETS 的更多資訊（包括產品規格和資料表）見https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html

Nexperia 簡介

Nexperia 是全球領先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件的專業製造商，其前身為恩智浦的標準產品部門，於 2017 年初開始獨立營運。Nexperia 注重效率，生產穩定可靠的半導體元件，年產量超過900 億件。Nexperia 工廠生產的小型封裝也是業界領先，不僅具有較高的功率與熱效率，還是同類品質之最。

五十多年來，Nexperia 一直為全球各地的大型公司提供優質產品，並在亞洲、歐洲和美國擁有超過 11,000 名員工。該公司擁有龐大的智慧財產權組合，並獲得了 ISO 9001、IATF 16949、ISO14001 和 OHSAS18001 認證。

Nexperia：效率致勝。

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