截至2026年2月27日 13:50,半導體設備ETF易方達(159558)盤中換手5.19%,成交2.71億元,盤中獲資金逆勢佈局。
截至2月26日,半導體設備ETF易方達(159558)最新規模達53.57億元,創成立以來新高。
資金流入方面,半導體設備ETF易方達(159558)近13個交易日合計「吸金」2.85億元。
AI基建驅動存儲産業鏈景氣度持續提升,HBM4已通過英偉達質量測試並獲採購訂單,三星開出的新世代HBM4報價達700美元/顆,較HBM3E高出20-30%;與此同時,美光宣佈投資500億美元擴建Boise園區、新建兩座DRAM晶圓廠,預計2027年開始量産。
國聯民生證券強調,AI帶來的「存儲通脹」效應正從HBM向全存儲品類擴散,疊加瀾起科技完成「A+H」上市並募資約69億港元加碼互連類芯片研發,AI算力基礎設施升級趨勢明確。
相關標的:半導體設備ETF易方達(159558,A/C:021893/021894),緊密跟蹤中證半導體材料設備主題指數,中證半導體材料設備主題指數選取40只業務涉及半導體材料和半導體設備等領域的上市公司證券作為指數樣本,反映半導體材料和設備上市公司證券的整體表現。
内容來源:有連雲
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