存儲芯片漲價潮愈演愈烈，三星閃存迎巨幅調價，科創芯片設計ETF易方達(589030)助力把握「存儲芯片超級周期」佈局機遇

截至2026年1月26日 13:24，科創芯片設計ETF易方達(589030)盤中換手15.05%，成交5223.04萬元，市場交投活躍。

截至1月23日，科創芯片設計ETF易方達(589030)最新規模、最新份額均創成立以來新高。

資金流入方面，科創芯片設計ETF易方達(589030)近5個交易日内，合計「吸金」2733.82萬元。

消息面上，近日，據業内報道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應價格上調了100%以上，這一漲幅遠超市場此前預期，凸顯了當前半導體市場嚴重的供需失衡現狀。這是繼DRAM内存價格被曝上調近70%之後，存儲市場的又一重磅調價信號。報道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。

在多家機構研究團隊一致認為，AI浪潮驅動的「存儲芯片超級周期」全面到來，且這一輪周期的強度與持續時間長度可能遠遠強於2018年的那輪「雲計算時代驅動的存儲超級牛市」。

科創芯片設計ETF易方達(589030)緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，上證科創板芯片設計主題指數選取科創板内業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作為指數樣本，以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。

内容來源：有連雲