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湖北江城實驗室研製三維多層片上電容;科創半導體ETF華夏(588170)上漲2.63%,半導體設備ETF華夏(562590)上漲3.01%

日期: 2026年6月15日 上午10:16

截至2026年6月15日10:08,科創半導體ETF華夏(588170)上漲2.63%,半導體設備ETF華夏(562590)上漲3.01%。熱門個股方面,中巨芯上漲9.98%,華海清科上漲7.11%,耐科裝備上漲6.90%,華興源創,新益昌等個股跟漲。

消息面上,據湖北江城實驗室消息,該實驗室近期在電容關鍵技術上取得重大突破,成功研製出三維多層片上電容,電容密度突破每平方毫米1000納法。該電容可直接應用於AI/GPU芯片、高性能處理器等高端芯片,支撐高算力、低功耗芯片研發。

相關ETF:科創半導體ETF華夏(588170)及其聯接基金(A類:024417;C類:024418):跟蹤指數是科創板唯一的半導體設備主題指數,其中存儲芯片含量近80%,先進封裝含量在全市場中最高(約59%),聚焦於科技創新前沿的硬核設備公司。

半導體設備ETF華夏(562590)及其聯接基金(A類:020356;C類:020357):跟蹤中證半導體材料設備主題指數,其中半導體設備的含量在全市場指數中最高(約63%),直接受益於全球芯片漲價潮對「賣鏟人」(設備商)的確定性需求。

內容來源:有連雲

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