存儲芯片漲價潮持續發酵，科創芯片ETF博時(588990)近2周累計上漲超22%

消息面上，2026年以來，半導體行業上遊材料、晶圓代工以及封裝環節紛紛漲價，推動行業成本上漲，逐漸形成了全産業鏈價格普漲之勢。其中，最引人矚目的是2025年以來存儲芯片的超級漲價熱潮。IDC指出：「超大規模雲計算廠商正在採購一種本質上不同、價格更昂貴的内存，並且為了確保供應願意支付溢價。」該機構預測，今年動態隨機存取存儲器（DRAM）的行業營收可能會增長近兩倍，達到4186億美元。NAND閃存的營收則有望翻一番以上，達到1741億美元。

中信證券表示，4月算力鏈漲價延續與擴散獲驗證。存儲漲價主綫仍未結束，DRAM、NANDFlash合約價大幅上行，AI需求與HBM産能切換雙重驅動。漲價已從存儲全面擴散至被動元件、模擬芯片、功率器件、電子佈全鏈條，CCL、MLCC等後周期環節景氣逐步升溫。國産算力進入正循環，DeepSeekV4深度適配國産芯片，國産算力芯片逐步迎來從「能用」到「好用」的拐點，950PR出貨在即，寒武紀、海光信息等一季報高增驗證景氣度，國産兩存與先進制程擴産推動半導體設備國産化率持續提升。

截至2026年5月8日 11:23，上證科創板芯片指數(000685)下跌3.62%。成分股方面漲跌互現，聯芸科技領漲5.18%，峰岹科技上漲4.07%，中船特氣上漲2.22%；華虹公司領跌6.67%，寒武紀下跌6.35%，龍芯中科下跌5.63%。科創芯片ETF博時(588990)下跌3.69%，最新報價3.34元。拉長時間看，截至2026年5月7日，科創芯片ETF博時近2周累計上漲22.03%。

流動性方面，科創芯片ETF博時盤中換手10.22%，成交5847.26萬元，市場交投活躍。拉長時間看，截至5月7日，科創芯片ETF博時近1年日均成交6140.30萬元。

規模方面，科創芯片ETF博時最新規模達5.88億元，創近3月新高。

科創芯片ETF博時緊密跟蹤上證科創板芯片指數，上證科創板芯片指數從科創板上市公司中選取業務涉及半導體材料和設備、芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試相關的證券作為指數樣本，以反映科創板代表性芯片産業上市公司證券的整體表現。

數據顯示，截至2026年4月30日，上證科創板芯片指數(000685)前十大權重股分別為寒武紀、海光信息、中芯國際、瀾起科技、中微公司、芯原股份、源傑科技、佰維存儲、拓荊科技、華虹公司，前十大權重股合計佔比63.08%。

科創芯片ETF博時(588990)，場外聯接(博時上證科創板芯片ETF發起式聯接A：022725；博時上證科創板芯片ETF發起式聯接C：022726)。

（文中個股僅作示例，不構成實際投資建議。基金有風險，投資需謹慎。）

以上産品風險等級為：中高（此為管理人評級，具體銷售以各代銷機構評級為準）

風險提示：基金不同於銀行儲蓄和債券等固定收益預期的金融工具，不同類型的基金風險收益情況不同，投資人既可能分享基金投資所産生的收益，也可能承擔基金投資所帶來的損失。基金的過往業績並不預示其未來表現。投資者應了解基金的風險收益情況，結合自身投資目的、期限、投資經驗及風險承受能力謹慎決策並自行承擔風險，不應採信不符合法律法規要求的銷售行為及違規宣傳推介材料。

内容來源：有連雲