硬科技拉升！科創芯片設計ETF(588780)、半導體ETF(512480)連續反彈漲超2%

截至2026年3月5日 09:41，科創芯片設計ETF(588780)上漲2.38%，盤中換手3.68%，成交3422.97萬元。成分股佰維存儲上漲12.72%，東芯股份上漲6.21%，安路科技上漲5.95%，成都華微，慧智微等個股跟漲。

半導體ETF(512480)上漲2.05%，成交3.16億元，成分股佰維存儲上漲12.72%，晶合集成上漲6.25%，東芯股份上漲6.21%，成都華微，北京君正等個股跟漲。

科創芯片設計ETF(588780)具備20%漲跌幅的彈性收益，跟蹤指數成分股囊括50家科創板芯片龍頭企業，芯片設計行業佔比超九成，「含芯量」滿滿，瞄準半導體高景氣度細分賽道，體現核心算力板塊趨勢。科創芯片設計ETF(588780)是跟蹤科創芯片指數的同類産品中，成立時間最早、規模最大的産品。

此外，半導體ETF（512480）備受市場關注，是目前唯一跟蹤中證全指半導體指數的ETF，一鍵佈局中國半導體全産業鏈更均衡。場外聯接(A類：007300；C類：007301)。

消息面，當地時間3月4日，美股存儲芯片板塊集體走強，美光、閃迪、西部數據等龍頭大幅收漲，帶動科技板塊回暖。業内普遍認為，本輪上漲由AI算力需求持續爆發、存儲芯片行業周期向上、NAND與DRAM價格上調預期共同驅動，行業供需格局持續改善，龍頭盈利與估值同步修復。美股存儲板塊強勢表現，有望帶動全球半導體産業鏈情緒升溫。

根據業内消息，SK海力士正推進一項封裝架構改良方案，核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及縮小DRAM層間距，目前該技術正處於驗證階段。若成功實現商業化，這一方案有望幫助SK海力士達成英偉達對第六代HBM4設定的頂級性能指標，並為後續産品的性能提升奠定基礎。

國投證券指出，國産算力需求側呈現多維度共振：海外雲廠商資本開支已進入新一輪上行周期，其算力叠代節奏同步牽引全球設備需求，為我國雲計算投資提供周期性機遇；芯片管制不斷升級，從硬件延伸至軟件、人才乃至雲服務，形成全鏈條封鎖，反而倒逼國内形成以「自主可控」為核心的政策與産業共識；中國自上而下全面佈局，以「東數西算」國家工程為牽引，結合地方「算力券」「模型券」等創新激勵，構建起覆蓋戰略規劃、基礎設施建設與場景開放的完整政策體係；同時，以DeepSeek-V2 為代表的輕量化模型技術取得突破，通過稀疏混合專家架構（MoE）等創新，在保持高性能的同時大幅降低訓練與推理的算力負擔，為國産芯片切入主流AI 應用掃清了關鍵的性能門檻。

風險提示：以上所有信息僅作為參考，不構成投資建議，一切投資操作信息不能作為投資依據。投資有風險，入市需謹慎。

注：「成立最早、規模最大」指截至2026.3.4，科創芯片設計ETF為全市場跟蹤上證科創板芯片設計主題指數的ETF中，成立時間最早、規模最大的産品。

内容來源：有連雲