地緣因素擾動，科創半導體ETF（588170）和半導體設備ETF華夏（562590）調整蓄勢

今日三大指數漲跌不一，滬指低開高走漲0.47%，創業板指沖高回落，盤中一度翻紅。從板塊來看，油氣股全綫爆發，貴金屬概念集體走強，化工板塊反復活躍，港口航運概念表現活躍，煤炭板塊午後拉升。

ETF 方面，科創半導體ETF(588170)下跌2.31%，最新報價1.82元；半導體設備ETF華夏(562590)下跌1.90%，最新報價1.97元。

資金流入方面，科創半導體ETF最新資金淨流入4.69億元。拉長時間看，近4個交易日内有3日資金淨流入，合計「吸金」5.65億元，日均淨流入達1.41億元。

受周末地緣政治突發事件擾動，市場避險情緒顯著升溫，資金流向發生切換，從高風險偏好的成長板塊快速撤出，轉而湧入黃金、原油等防禦性資産。

受此影響，今日科創半導體ETF呈現典型的「縮量回踩、良性洗盤」態勢。股價雖大跌2.36%並跌破5日均綫，直逼10日均綫支撐，但成交量依然萎縮。這說明今日的下跌並非主力大規模出貨或市場恐慌性抛售。大部分低位籌碼依然鎖定良好，並未松動，市場上的持籌者大多選擇觀望而非殺跌，抛壓其實比K綫看起來要輕得多。

東吳證券指出，制程叠代推動設備結構升級，刻蝕與薄膜沉積價值量提升。先進制程結構復雜化帶動圖形化環節投資強度提升。邏輯端GAA結構、存儲端高層數3D堆疊，對高深寬比刻蝕（HAR）、高選擇比刻蝕（ALE）以及ALD等原子級沉積技術提出更高要求。刻蝕與薄膜沉積在前道設備中的價值佔比位居前三，且隨制程演進呈提升趨勢。多重曝光、先進金屬材料替代及新型結構引入，使設備數量與工藝復雜度同步提升，設備投資呈現「技術節點越先進、單位投資越高」的乘數效應，核心平台型設備商與細分龍頭有望持續受益。

内容來源：有連雲