廣州：大力發展碳化硅、氧化鋅、氧化镓等第三代半導體材料制造

【財華社訊】1月8日，廣州市人民政府辦公廳印發廣州市加快建設先進制造業強市規劃(2024—2035年)。其中指出，大力發展碳化硅、氧化鋅、氧化镓等第三代半導體材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半導體器件和模塊的研發制造，加快光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發生產，培育壯大化合物半導體IDM(集成器件制造)、寬禁帶半導體材料、電子級多晶硅及硅片企業。支持開展射頻、傳感器、納米級陶瓷粉體、電力電子等器件研發轉化，推動化合物半導體產品的推廣應用。