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三星電子將在2nm工藝應用後端供電技術

日期： 2024年8月23日 下午1:31

8月23日，據《科創板日報》訊，三星電子宣佈，在2納米半導體工藝中採用後端供電(BSPDN)技術，預計將使芯片面積減少約17%，同時性能提升8%，功耗降低15%。這是三星首次公開BSPDN技術的性能改進數據。

三星電子

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