7月27日，據《科創板日報》訊，美光7月26日宣布推出業界首款8層24GB HBM3 Gen2內存芯片，是HBM3的下一代產品，采用1β工藝節點。美光是業界第一個制造出第二代HBM3內存的廠商。這款內存芯片總帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。美光表示，24GB HBM3 Gen2內存已經出樣給客戶。
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