科創芯片設計ETF鵬華(589170)漲超2.2%，英偉達力推800V架構

碳化矽、rubin持續活躍，消息面上，英偉達力推800V架構，SiC（碳化矽）從「可選」變「必選」；此外SiC還有望替代Rubin封裝中的Interposer，打開第二增長曲綫。

華西證券研報稱，到2030年整體電源的SiC襯底需求有望接近700億元，有望實現近8倍增長，其中8吋下遊FAB綫的大量擴産有望大幅刺激襯底與設備需求。

截至2026年5月27日 10:13，上證科創板芯片設計主題指數(950162)強勢上漲2.06%，成分股思瑞浦上漲12.24%，中科藍訊上漲8.49%，普冉股份上漲7.27%，納芯微，帝奧微等個股跟漲。科創芯片設計ETF鵬華(589170)上漲2.25%，最新價報1.32元。

科創芯片設計ETF鵬華緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，上證科創板芯片設計主題指數選取科創板内業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作為指數樣本，以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。

數據顯示，截至2026年4月30日，上證科創板芯片設計主題指數(950162)前十大權重股分別為瀾起科技、海光信息、寒武紀、芯原股份、佰維存儲、睿創微納、東芯股份、盛科通信、晶晨股份、龍芯中科，前十大權重股合計佔比62.87%。

科創芯片設計ETF鵬華(589170)，場外聯接(A：027608；C：027609)。

内容來源：有連雲