半導體ETF(159813)漲超1.3%，機構稱存儲價格將持續上行至2025年底

截至2025年12月1日 13:14，國證半導體芯片指數(980017)強勢上漲1.36%，成分股北京君正(300223)上漲13.61%，華潤微(688396)上漲8.16%，兆易創新(603986)上漲4.92%，瑞芯微(603893)，滬矽産業(688126)等個股跟漲。半導體ETF(159813)上漲1.32%， 沖擊6連漲。最新價報1.08元。成分股中主要係存儲芯片大漲。

機構指出：

一、存儲市場整體格局

DRAM市場高度壟斷：三星、海力士、美光三家佔據94%的市場份額（CR3=94%），國内企業佔比較低。

NAND Flash市場競爭更激烈：除上述三家企業外，還包括铠俠和西數，CR5約96%，玩家更多導致其周期比DRAM更長，價格波動更平緩。

二、存儲價格上漲原因分析

庫存水平變化驅動價格波動：

DRAM：正常供需庫存為2-2.5個月，2024年Q1-Q3庫存高達4-4.5個月，價格低迷；2025年Q2末降至2.3-2.5個月，接近正常水平，價格開始上漲。

NAND Flash：庫存略高於DRAM（約高0.5個月），2025年Q4已低於2個月，供給不足推動漲價。

需求端結構：存儲産品下遊分為手機（35%）、服務器（30%）、PC（16%）、利基市場（16%）、車載（3%）。當前漲價主要受服務器需求（AI驅動）和手機新品（如iPhone 17、小米17、華為Mate X6）刺激，車載市場增長快但佔比低影響有限。

三、主要産品價格走勢（2025年數據）

DRAM現貨價：

DDR4 16GB 3200速度：從年初12-14美元漲至28美元（翻倍）。

DDR5 32GB：240美元，與DDR4出現價格倒掛（因三星等將停産DDR4，轉向DDR5）。

服務器内存（RDIMM）：DDR4 16GB從140美元漲至220美元。

移動端（LPDDR）：12GB（等效96Gb）從20多美元漲至51美元，手機存儲成本顯著上升。

NAND Flash：

晶圓現貨價：1TB QLC 12.5美元，1TB TLC 13美元。

UFS（手機存儲）：128GB合約價17美元。

SSD：PCle 3.0 256GB合約價18.5美元，現貨價31美元。

四、技術發展現狀

DRAM制程：國際三巨頭最先進制程為D1β（約12nm），差距約1.5-2代（需1.5-2年追趕）。

NAND Flash堆疊層數：國際主流達296層（V9），因採用Xtacking技術（與國際COP技術不同），差距僅0.5-1代。

新技術方向：

CBA（晶圓鍵合架構）：將存儲陣列與邏輯陣列分兩片晶圓制造，避免高溫高壓影響，可應用更先進制程（如7nm）提升性能。

4F²技術：通過垂直佈局存儲單元、電容和外圍電路，縮小面積提升密度（當前主流為6F²）。

五、産能分佈與稼動率

産能佈局：

三星：韓國4座晶圓廠（華城、平澤、天安、七星）+1座封裝廠；海外僅中國有西安（NAND Flash全流程）和蘇州（DRAM封測）。

海力士：韓國青州、龍仁工廠；美國1座；中國無錫（DRAM）、大連（收購英特爾NAND Flash工廠）。

美光：美國為主，中國西安僅封測廠。

稼動率控制：當前各家稼動率不高，計劃2025年12月提升至90%-95%。原廠吸取2022-2023周期教訓，避免盲目擴産導致價格崩盤。

六、HBM（高帶寬内存）深度分析

與AI強關聯：HBM僅用於AI服務器，與AI需求呈充分必要關係。2025年AI服務器佔服務器總需求15%。

用量：A100顯卡用HBM 320GB，H100用640GB；多模態AI（如圖像/視頻）將推動用量進一步增長。

産能與價格：

2023年底産能10萬片晶圓，2025年達32.6萬片（擴産2倍），對應1200萬張GPU板卡。

價格穩中有降（降幅5%-12%）：HBM3e 15.6美元/GB，HBM3 14.2美元/GB，HBM2e 11-12美元/GB。

技術壁壘：

結構：通過TSV（矽通孔）、微凸點、中介層等先進封裝實現3D堆疊，與GPU/TPU集成。

鍵合工藝：海力士採用MR-MAP（效率高但精度低），三星/美光用TC-NCF（精度高但效率低）；未來均轉向混合鍵合（Hybrid Bonding）以滿足高I/O需求。

制程：HBM用最先進D1β工藝，長鑫存儲目前用D1Z工藝。

産業鏈關鍵環節：

TSV工藝：包括刻蝕、沉積、電鍍、減薄、鍵合五步。刻蝕設備由應用材料、泛林壟斷。

材料與設備：沉積環節科磊領先；電鍍設備以德國安美特、東京電子為主。

競爭格局：

2022年份額：海力士50%、三星40%、美光10%。

2026年預測：海力士42%、三星40%、美光18%。美光因跳過HBM3直接開發HBM3e/4，技術積累深厚；三星憑借晶圓代工優勢（如為阿裡、新源代工）綁定客戶。

七、總結

存儲市場由供給端（庫存、稼動率控制）和需求端（AI服務器、手機新品）共同推動漲價，預計價格將持續上行至2025年底。

半導體ETF緊密跟蹤國證半導體芯片指數，為反映滬深北交易所芯片産業相關上市公司的市場表現，豐富指數化投資工具，編制國證半導體芯片指數。

數據顯示，截至2025年11月28日，國證半導體芯片指數(980017)前十大權重股分別為寒武紀(688256)、海光信息(688041)、中芯國際(688981)、北方華創(002371)、兆易創新(603986)、瀾起科技(688008)、中微公司(688012)、豪威集團(603501)、長電科技(600584)、紫光國微(002049)，前十大權重股合計佔比71.6%。

半導體ETF(159813)，場外聯接(A：012969；C：012970；I：022863)。

内容來源：有連雲