消息面上,武漢正式官宣380億美元存儲擴産計劃,以長江存儲和武漢新芯為核心佈局3D NAND與DRAM。同時疊加美光上修2026年資本開支至250億美元及海力士斥資80億美元鎖定産能,全球擴産共振形成。
機構認為,隨著先進制程向GAA/CFET演進及3D NAND向400層以上堆疊,單萬片産能設備投資額呈乘數級上升。據行業測算,2025年大陸晶圓制造設備市場空間約463億美元,但當前國内廠商在全球存儲市場份額僅約5%,對比國内25%-30%的需求佔比,擴産空間達4-5倍。在AI算力需求爆發背景下,外資預測未來幾年AI相關存儲需求按bit計算年增速超50%。供給端受制於18至24個月的建廠與設備導入周期,産能釋放有限,行業將長期處於供不應求的緊平衡狀態,驅動存儲板塊從純周期向「周期+成長」屬性切換。
截至2026年5月6日 09:53,國證半導體芯片指數(980017)強勢上漲8.83%,成分股海光信息上漲20.00%,瀾起科技上漲15.99%,龍芯中科上漲14.48%,北京君正,寒武紀等個股跟漲。半導體ETF鵬華(159813)上漲9.20%,最新價報1.45元。
半導體ETF鵬華緊密跟蹤國證半導體芯片指數,為反映滬深北交易所芯片産業相關上市公司的市場表現,豐富指數化投資工具,編制國證半導體芯片指數。
數據顯示,截至2026年4月30日,國證半導體芯片指數(980017)前十大權重股分別為海光信息、寒武紀、北方華創、中芯國際、兆易創新、瀾起科技、中微公司、芯原股份、豪威集團、拓荊科技,前十大權重股合計佔比71.51%。
半導體ETF鵬華(159813),場外聯接(A:012969;C:012970;I:022863)。
内容來源:有連雲
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