科創芯片設計ETF(588780)逆勢拉升漲超2%，算力驅動存儲與PCB雙輪爆發

截至2026年3月4日 09:48，科創芯片設計ETF(588780)上漲2.14%，盤中換手4.32%，成交3978.67萬元。成分股佰維存儲上漲20.00%，普冉股份上漲6.71%，東芯股份上漲3.84%，聯芸科技，瀾起科技等個股跟漲。

截至2026年3月4日 09:48，半導體ETF(512480)上漲1.73%，成交4.06億元。成分股佰維存儲上漲20.00%，德明利上漲9.54%，兆易創新上漲4.84%，北京君正，東芯股份等個股跟漲。

科創芯片設計ETF(588780)具備20%漲跌幅的彈性收益，跟蹤指數成分股囊括50家科創板芯片龍頭企業，芯片設計行業佔比超九成，「含芯量」滿滿，瞄準半導體高景氣度細分賽道，體現核心算力板塊趨勢。科創芯片設計ETF(588780)是跟蹤科創芯片指數的同類産品中，成立時間最早、規模最大的産品。

此外，半導體ETF（512480）備受市場關注，是目前唯一跟蹤中證全指半導體指數的ETF，一鍵佈局中國半導體全産業鏈更均衡。場外聯接(A類：007300；C類：007301)。

消息面，3月3日，佰維存儲公告，經初步測算，公司預計2026年1—2月實現營業收入40億元至45億元，同比增長340%至395%；歸母淨利潤15億元至18億元，同比增長921.77%至1086.13%。2026年存儲行業迎來高度景氣周期，AI算力與國産替代驅動DRAM/NAND價格持續上漲，行業供不應求，公司受益顯著。

機構分析指出，2025年存儲芯片頭部企業業績整體向好，係需求、供給與産業周期多重因素共同驅動。AI大模型訓練和推理對高性能計算的需求激增，不僅導致先進算力芯片需求增加，也會帶動高速、大容量存儲芯片進入需求大幅增長的「超級周期」。野村證券預計，2026年DRAM（動態隨機存取存儲器）和NAND（閃存）的需求將分別增長30%，二者的平均售價也將分別躍升46%和65%。

根據業内消息，在AI強勁需求的拉動下，PCB（電路板）産業鏈的漲價行情還在延續。日本半導體材料巨頭Resonac（力森諾科）已於3月1日起，上調CCL（銅箔基板）及粘合膠片價格30%。此外，PCB即將迎來超級催化劑——英偉達LPU推理芯片。

中信證券表示，受AI強勁需求拉動，該機構判斷存儲需求將保持高景氣度，存儲芯片的漲價有望貫穿2026年全年並持續帶來行業催化。該行看好國内存儲大廠的産能擴張和技術叠代加速，晶圓制造工藝相關的半導體材料用量料將大幅提升，大廠的材料及零部件端核心供應商有望充分受益，隨下遊産能落地節奏實現經營數據的階梯式大幅增長。

風險提示：以上所有信息僅作為參考，不構成投資建議，一切投資操作信息不能作為投資依據。投資有風險，入市需謹慎。

注：「成立最早、規模最大」指截至2026.3.3，科創芯片設計ETF為全市場跟蹤上證科創板芯片設計主題指數的ETF中，成立時間最早、規模最大的産品。

内容來源：有連雲