存儲芯片市場迎來拐點，科創芯片ETF指數(588920)交投活躍

消息面上，存儲芯片市場迎來拐點，三季度利基存儲價格全面上漲。DDR4價格已超過DDR5加速了存儲技術的叠代周期，擁有自主技術的廠商將掌握定價主動權。

截至2025年8月5日 10:54，上證科創板芯片指數(000685)下跌0.22%。成分股方面漲跌互現，思特威(688213)領漲3.14%，甬矽電子(688362)上漲2.05%，華虹公司(688347)上漲1.90%；東芯股份(688110)領跌7.01%，思瑞浦(688536)下跌3.60%，富創精密(688409)下跌3.09%。科創芯片ETF指數(588920)多空膠著，最新報價1.04元。

中信證券預計25Q3主流、利基存儲價格有望全面上漲，疊加消費類傳統旺季，看好存儲廠商Q3表現。1）DDR4漲價、NOR Flash漲價邏輯下，重點推薦存儲芯片設計龍頭；此外，建議關注存儲模組分銷商。2）部分DDR4價格大漲後超過DDR5價格，疊加原廠逐步退出DDR4，DDR5滲透率有望加快提升。

科創芯片ETF指數緊密跟蹤上證科創板芯片指數，上證科創板芯片指數從科創板上市公司中選取業務涉及半導體材料和設備、芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試相關的證券作為指數樣本，以反映科創板代表性芯片産業上市公司證券的整體表現。

數據顯示，截至2025年7月31日，上證科創板芯片指數(000685)前十大權重股分別為寒武紀(688256)、中芯國際(688981)、海光信息(688041)、瀾起科技(688008)、中微公司(688012)、芯原股份(688521)、滬矽産業(688126)、恒玄科技(688608)、華海清科(688120)、思特威(688213)，前十大權重股合計佔比57.59%。

内容來源：有連雲