三星與ASML擴大戰略合作押注高NA EUV與12英寸光掩模
日期：2026年9月9日 上午9:08PANews 9月9日消息，據光刻機巨頭阿斯麥官網，Samsung Electronics與ASML宣佈擴大戰略合作，將在高數值孔徑EUV光刻及先進半導體制造領域深化協作。Samsung將加入行業倡議，共同推進用於High NA EUV的下一代12英寸光掩模平台，從傳統6英寸升級以提升晶圓廠生産效率、降低芯片制造成本並消除拼接限制。依託在存儲器和晶圓代工的經驗，Samsung將與産業夥伴開發相關光掩模技術及基礎設施，並計劃在2028年前首次將ASML High NA EUV引入DRAM大規模量産，以延展DRAM制程路綫並簡化工藝、提高生産效率。
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