科創芯片設計ETF鵬華(589170)漲超2.3%，設備國産化率進入快速提升階段

消息面上，存儲供需緊缺程度較高，英偉達推出存儲機櫃新增NAND需求，閃迪預計2027年這部分可能會額外帶來大約75-100EB的增量；26年海外存儲原廠資本開支顯著增長，主要擴充HBM等高端産品産能，預計2026-2027年DRAM與NAND産值分別達5516/8427億美元，同比+134%/+53%。

招商證券認為，國内自主可控環節持續向好，存儲及先進制程需求旺盛、擴産確定性較強，國内核心存儲設備訂單增長趨勢明確，設備國産化率進入快速提升階段；近期MATCH法案擬擴大制裁範圍，要求日本、荷蘭等在150天内將本國對華半導體設備出口管制與美國政策完全對齊，禁止向中國銷售DUV光刻機等設備、將中芯國際、長江存儲、長鑫存儲、華虹集團、華為實施全面出口限制，進一步強化供應鏈自主可控需求，有望加速光刻機産業鏈及設備國産化快速增長。

截至2026年4月10日 11:22，上證科創板芯片設計主題指數(950162)強勢上漲2.56%，成分股峰岹科技上漲7.41%，佰維存儲上漲6.26%，普冉股份上漲6.17%，龍迅股份，睿創微納等個股跟漲。科創芯片設計ETF鵬華(589170)上漲2.37%，最新價報0.95元。

科創芯片設計ETF鵬華緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，上證科創板芯片設計主題指數選取科創板内業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作為指數樣本，以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。

數據顯示，截至2026年3月31日，上證科創板芯片設計主題指數(950162)前十大權重股分別為瀾起科技、海光信息、芯原股份、佰維存儲、寒武紀、睿創微納、東芯股份、晶晨股份、龍芯中科、臻鐳科技，前十大權重股合計佔比58.85%。

内容來源：有連雲