或迎最嚴重芯片荒！科創芯片設計ETF天弘(589070)標的指數昨日大漲超4%，近5日淨流入超4300萬元

截至2026年2月9日收盤，科創芯片設計ETF天弘(589070)換手13.99%，成交9229.10萬元，市場交投活躍。跟蹤的上證科創板芯片設計主題指數(950162)強勢上漲4.07%，成分股芯原股份上漲14.87%，國芯科技上漲12.85%，復旦微電上漲9.65%，燦芯股份，瀾起科技等個股跟漲。

截至2月9日，科創芯片設計ETF天弘(589070)最新規模達6.54億元，創成立以來新高。科創芯片設計ETF天弘(589070)近1周份額增長2800.00萬份，實現顯著增長。

資金流入方面，科創芯片設計ETF天弘(589070)近5個交易日内有4日資金淨流入，合計「吸金」4384.05萬元。

【産品亮點】

聚焦科創芯片設計核心領域，政策持續保駕護航，緊抓AI等新興領域驅動帶來的上遊投資機會，科創芯片設計ETF天弘(589070)跟蹤標的指數涵蓋五十只科創芯片設計領域上市公司，成份股集中度高，單日最大漲跌幅達20%。隨著上遊推理需求的持續高速增長和國産替代持續提升，板塊配置價值凸顯。

【熱點事件】

高盛警告！市場或迎十五年以來最嚴重的存儲芯片短缺

2月8日，高盛表示，2026-2027年全球存儲器市場將經歷史上最嚴重的供應短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大。更重要的是，即使在智能手機和PC需求大幅下滑的極端情景下，強勁的服務器需求仍能吸收沖擊，維持市場緊張格局。

高盛大幅上調了DRAM供應短缺預期。最新預測顯示，2026年和2027年DRAM供不應求幅度將達到4.9%和2.5%，遠超此前預期的3.3%和1.1%。其中，2026年的供應短缺將是過去15年以來最嚴重的一次。

NAND市場的供需格局同樣大幅收緊。高盛預計2026年/2027年NAND供不應求幅度為4.2%/2.1%，高於此前預期的2.5%/1.2%。這將是NAND行業歷史上最大規模的短缺之一。

高盛將2026年/2027年HBM TAM（總體可尋址市場）預期上調8%/9%，至540億美元/750億美元（此前為500億美元/690億美元）。

【機構觀點】

華泰證券指出，微軟、Meta、谷歌、亞馬遜2025年四季度資本開支同比增幅達48%-95%，其中約2/3投向CPU及GPU等短期資産；展望2026年，上述廠商資本開支中值預計同比增長60%-97%，疊加國産替代政策明確推進，AI芯片需求保持旺盛且結構性向國産設計廠商傾斜。寒武紀作為國産AI芯片第一梯隊代表，2025年營收預計達60-70億元，同比增長411%-496%，反映國内AI芯片設計環節正進入規模化放量階段。

【更多産品】

内容來源：有連雲