截至2026年1月28日 13:35,科創芯片設計ETF易方達(589030)盤中換手33.38%,成交1.15億元,市場交投活躍。截至1月27日,科創芯片設計ETF易方達(589030)近1周累計上漲8.63%。
截至1月27日,科創芯片設計ETF易方達(589030)近1周規模增長6792.78萬元,近1周份額增長5400.00萬份,實現顯著增長。
資金流入方面,科創芯片設計ETF易方達(589030)近5個交易日内有3日資金淨流入,合計「吸金」3279.37萬元。
根據業内機構數據,2026年全球按容量(bit)計算的DRAM内存需求將同比增長23%,其中數據中心領域將增長28%,對整體增幅貢獻(13%)超過半數。預計DRAM内存市場當前的這波行情將至少持續到2027年,因為晶圓廠的新建與擴建通常需要2-3年。
高盛在指出,自新年伊始,DDR5現貨價格已出現大幅上漲,而 DDR4現貨價格自2024年9月開始上漲,目前仍呈上升趨勢。這意味著DRAM合約價格近期上漲動力強勁,原因是DDR5/DDR4 現貨價格已經相較於合約價格産生了巨大溢價。高盛還預測,全球存儲巨頭三星今年的DRAM芯片平均定價將會每個季度環比增長,尤其是一季度增幅預計可達50%。
科創芯片設計ETF易方達(589030)緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數,上證科創板芯片設計主題指數選取科創板内業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作為指數樣本,以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。
内容來源:有連雲
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