消息面上,三星電子將第一季度NAND閃存供應價格上調100%以上,漲幅遠超市場預期。這是繼DRAM内存價格上調近70%後,存儲市場釋放的又一調價信號。
AI服務器需求爆發正強力驅動存儲芯片升級與擴産,NAND Flash合約價預計2026年全年上漲105%-110%,帶動産業産值同比增速提升至約112%;供給端受海外原廠資本開支審慎、HBM/DRAM優先擠佔産能及QLC産綫良率階段性偏低等多重約束,NAND有效産能持續承壓,供需緊張格局有望貫穿全年。
根據TrendForce數據,預計2026年全球服務器出貨量年增長率為12.8%,其中AI服務器出貨量年增長率為28%以上,增幅同比2025年的24.2%繼續上漲,主要受全球CSP大幅加強AI基礎設施投資力度所致。受益於AI基建加快,存儲漲價仍在持續,根據TrendForce數據,包括DRAM和NAND Flash在内的存儲器産業産值逐年創高,預估2026年將同比增長134%達到5516億美元,2027年則將繼續同比增長53%達到8427億美元。
招商證券認為,2026第一季度各品類存儲價格環比漲幅超預期,預計2026年全年全球存儲供給整體維持偏緊狀態,AI需求增長持續高於産能擴張速度,其他消費類存儲和利基型存儲受到産能擠壓和下遊恐慌備貨等因素,價格漲幅也遠超常規水平。今年國内存儲産業鏈多環節都將受益於缺貨漲價浪潮,核心建議關注存儲原廠、存儲模組/芯片公司、存儲封測/代工等環節。
行業動態方面,混合鍵合技術作為突破算力瓶頸的關鍵使能技術,已從先進選項加速邁向AI時代核心基礎設施,台積電SoIC、HBM4/5等高性能計算場景率先規模應用;全球設備市場由BESI主導(市佔率約70%),而拓荊科技已推出首台量産級混合鍵合設備並獲重復訂單,百傲化學、邁為股份設備亦進入産業化驗證階段,國産化替代進程顯著提速。
中銀國際認為,中國半導體芯片行業雖起步晚、規模僅為美國十分之一,但正處於關鍵成長期。在政策強力賦能、下遊市場需求爆發及技術持續突破的支撐下,行業有望復制其他優勢賽道的追趕路徑,未來十年具備巨大市值增長潛力,但需精選標的,競爭格局仍存變數。
Wind數據顯示,半導體設備板塊在2026年1月1日至23日期間漲幅達21.47%,顯著跑贏大盤,核心驅動力來自AI算力需求不減、存儲芯片周期上行及先進封裝技術滲透三重共振;疊加台積電資本開支大幅增長、SK海力士與甬矽電子等頭部廠商加速建設先進封裝工廠,設備端市場機遇進一步凸顯。
場内ETF方面,截至2026年1月27日 10:35,中證半導體材料設備主題指數強勢上漲1.93%,半導體設備ETF廣發(560780)上漲1.56%,盤中最高漲超2%。成分股金海通上漲8.10%,康強電子上漲7.91%,立昂微,華峰測控等個股跟漲。前十大權重股合計佔比65.08%,其中權重股芯源微上漲11.23%,安集科技、拓荊科技等跟漲。
規模方面,截至2026年1月26日,半導體設備ETF廣發近1周規模增長5.13億元,實現顯著增長。份額方面,半導體設備ETF廣發最新份額達19.95億份,創成立以來新高。從資金淨流入方面來看,半導體設備ETF廣發近14天獲得連續資金淨流入,最高單日獲得2.82億元淨流入,合計「吸金」23.32億元。
半導體設備ETF廣發(560780):緊密跟蹤中證半導體材料設備主題指數,根據申萬三級行業分類,指數重倉半導設備超60%、半導體材料超20%,合計權重超80%。涵蓋中微公司、北方華創、拓荊科技等設備龍頭公司。場外聯接(A:020639;C:020640)。
内容來源:有連雲
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