
截至2025年11月5日 13:22,中證半導體産業指數下跌0.97%。成分股方面漲跌互現,晶升股份領漲1.97%,芯源微上漲1.08%,拓荊科技上漲1.01%;中晶科技領跌6.73%,神工股份下跌4.33%,華海誠科下跌4.11%。半導體産業ETF(159582)下跌1.04%,最新報價2.1元。拉長時間看,截至2025年11月4日,半導體産業ETF近2月累計上漲40.38%,漲幅排名可比基金1/2。
流動性方面,半導體産業ETF盤中換手6.99%,成交2987.89萬元。拉長時間看,截至11月4日,半導體産業ETF近1月日均成交6787.18萬元。
消息面上,中微公司公告顯示,中微公司2025年前三季度營業收入為80.63億元,同比增長約46.40%;歸母淨利潤為12.11億元,同比增長32.66%。值得關注的是,薄膜設備業務呈現爆發式增長——LPCVD和ALD等薄膜設備收入達4.03億元,同比增長約1332.69%。
全球半導體産業正經歷由地緣政治驅動的深刻重構,供應鏈佈局邏輯從全球化效率優先轉向區域化安全主導。大公國際指出,「十五五」規劃明確的「加快高水平科技自立自強」與「採取超常規措施」推動集成電路産業發展的戰略方向,正係統引導中國半導體産業在復雜國際環境中尋求結構性突破。美國、歐盟和中國等主要經濟體的大規模産業政策與貿易措施,正促進産業鏈向區域化、多極化發展,這在提升供應穩定性的同時也帶來成本上升與效率損失。在此背景下,第三代半導體、先進封裝、RISC-V架構等新興領域獲得更多關注,為中國企業提供了差異化創新的重要機遇。
平安證券分析認為,中微公司作為國内領先的半導體設備平台企業,持續高強度研發投入正加速産品叠代周期,新産品開發時間已從過去的三到五年縮短至兩年甚至更短。公司在刻蝕設備領域保持高速增長,60比1超高深寬比介質刻蝕設備已成為國内標配,下一代90比1設備即將進入市場;同時在ICP刻蝕、薄膜沉積等領域取得良好進展,加工精度已達單原子水平,國産替代進程穩步推進。
規模方面,半導體産業ETF最新規模達4.35億元,創近1年新高。
資金流入方面,半導體産業ETF最新資金流入流出持平。拉長時間看,近5個交易日内有4日資金淨流入,合計「吸金」5825.35萬元,日均淨流入達1165.07萬元。
規模方面,半導體産業ETF最新規模達4.35億元,創近1年新高。
資金流入方面,半導體産業ETF最新資金流入流出持平。拉長時間看,近5個交易日内有4日資金淨流入,合計「吸金」5825.35萬元,日均淨流入達1165.07萬元。
半導體産業ETF緊密跟蹤中證半導體産業指數,中證半導體産業指數從上市公司中,選取不超過40只業務涉及半導體材料、設備和應用等相關領域的上市公司證券作為指數樣本,以反映半導體核心産業上市公司證券的整體表現。
數據顯示,截至2025年10月31日,中證半導體産業指數前十大權重股分別為中微公司、北方華創、寒武紀、中芯國際、海光信息、拓荊科技、長川科技、華海清科、南大光電、中科飛測,前十大權重股合計佔比78.04%。
(文中個股僅作示例,不構成實際投資建議。基金有風險,投資需謹慎。)
以上産品風險等級為:中高(此為管理人評級,具體銷售以各代銷機構評級為準)
風險提示:基金不同於銀行儲蓄和債券等固定收益預期的金融工具,不同類型的基金風險收益情況不同,投資人既可能分享基金投資所産生的收益,也可能承擔基金投資所帶來的損失。基金的過往業績並不預示其未來表現。投資者應了解基金的風險收益情況,結合自身投資目的、期限、投資經驗及風險承受能力謹慎決策並自行承擔風險,不應採信不符合法律法規要求的銷售行為及違規宣傳推介材料。
内容來源:有連雲
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