【財華社訊】8月21日，三安光電(600703.SH)在互動平台表示，湖南三安的主驅逆變器用SiC MOSFET已從1200V 16mΩ叠代到1200V 13mΩ。
更多精彩內容，請登陸 財華香港網 (https://www.finet.hk/) 現代電視 (http://www.fintv.com)
