三安光电：湖南三安主驱逆变器用SiC MOSFET已迭代到1200V 13mΩ

【财华社讯】8月21日，三安光电(600703.SH)在互动平台表示，湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET已从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ。