納芯微：除SiC二極管產品外積極研發和驗證1200V SiC MOSFET產品

7月18日，納芯微(688052.SH)在互動平台表示，公司的SiC二極管采用MPS結構設計，與傳統的結構相比，具有顯著優勢。公司的SiC二極管具有更低的正向導通電壓，同時在面對瞬態高電流沖擊時，具備更強的抗浪湧能力。這種性能優勢使得公司的SiC二極管在高功率應用中表現出色，為系統的可靠性和穩定性提供了重要保障。汽車是公司的重點目標市場，公司將繼續深耕、提高在汽車電子應用和產品層面的覆蓋度，包括壓力傳感器、磁傳感器、通用信號鏈芯片、專用處理器芯片、數字隔離器和隔離采樣芯片、車載接口芯片、柵級驅動芯片、馬達驅動芯片、車燈驅動芯片、車載電源芯片、功率器件等豐富的產品類別。除SiC二極管產品外，公司也在積極研發和驗證1200V SiC MOSFET產品。公司的SiC MOSFET產品將經過全面的車規級驗證，以確保符合汽車級應用的要求。