東微半導：已訂購SiC器件制造和工藝實驗相關部分設備 加大制造產業鏈資本投入

5月8日，東微半導(688261.SH)在互動平台表示，公司已訂購SiC器件制造和工藝實驗相關的部分關鍵設備，加大SiC制造產業鏈的資本投入。同時在技術研發上，公司已布局包括溝槽柵SiC MOSFET器件結構等核心專利技術，雙管齊下快速推進SiC MOSFET產業化。